RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 3, страницы 335–339 (Mi phts7019)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Низкотемпературная фотолюминесценция монослоя WSe$_2$, полученного механическим слоением с использованием золота

С. Н. Николаев, В. С. Багаев, М. А. Чернопицский, И. И. Усманов, Е. Е. Онищенко, А. А. Деева, В. С. Кривобок

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, 119991 Москва, Россия

Аннотация: На основе измерений спектров комбинационного рассеяния света, низкотемпературной фотолюминесценции и микроотражения исследованы оптические свойства атомарно тонкой пленки WSe$_2$, полученной механическим слоением с использованием золота. При комнатной температуре оптические свойства такой пленки воспроизводят свойства монослоев WSe$_2$, полученных механическим слоением без использования золота. Показано, что при гелиевых температурах спектры излучения полученной пленки определяются стандартными механизмами излучательной рекомбинации с участием свободных экситонов, связанных экситонов и трионов. Тем не менее, в отличие от комнатных температур, наблюдается существенное различие в спектральной ширине и интенсивности линий по сравнению с монослоями WSe$_2$, отщепленными без использования золота из того же исходного материала. Обнаруженные отличия, демонстрирующие значительное усиление фонового легирования и структурного беспорядка при использовании золота, могут быть существенны для целого ряда оптоэлектронных применений атомарно тонких пленок WSe$_2$.

Ключевые слова: слоистые полупроводники, люминесценция, монослой, экситоны.

Поступила в редакцию: 16.11.2021
Исправленный вариант: 20.11.2021
Принята в печать: 20.11.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52120.9772



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025