Оптические свойства кремниевых нанопилларов со встроенным вертикальным $p$–$n$-переходом

Представлены результаты исследования резонансного отражения света упорядоченными массивами кремниевых (Si) нанопилларов. Высота Si нанопилларов составляла 450 нм. Было изучено влияние процесса окисления Si нанопилларов в концентрированной азотной кислоте на положение резонансов в спектрах отражения. Доказано слабое влияние дополнительного полимерного покрытия на характеристики отражения от структур. На основе результатов экспериментального исследования и прямого численного моделирования с применением трехмерного алгоритма конечных разностей во временной области (3D FDTD) установлено, что зависимость резонансной длины волны Si нанопилларов от диаметра Si нанопилларов является линейной функцией c ненулевым смещением, зависящим от периода.