RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 3, страницы 357–362 (Mi phts7023)

Физика полупроводниковых приборов

Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц

А. В. Бабичевa, Е. С. Колодезныйa, А. Г. Гладышевa, Д. В. Денисовb, A. Jollivetc, P. Quachc, Л. Я. Карачинскийade, В. Н. Неведомскийd, И. И. Новиковae, M. Tchernychevac, F. H. Julienc, А. Ю. Егоровe

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), 197022 Санкт-Петербург, Россия
c Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), UMR 9001 CNRS, Universite Paris-Saclay, 91120 Palaiseau, France
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
e ООО "Коннектор Оптикс", 194292 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена конструкция и реализована методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц. Для оптимизации толщин слоев периодов гетероструктуры использовался численный метод итерационного решения уравнения Шредингера–Пуассона в $k\cdot p$ формализме. Выращенная гетероструктура квантово-каскадного детектора показала высокое структурное совершенство, подтвержденное малыми значениями средней ширины на половине высоты пиков-сателлитов высоких порядков на рентгенодифракционных кривых качания, которые составили (8.3 $\pm$ 0.5)". Анализ темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показал, что суммарная толщина слоев в периоде каскада составляет 137.3 $\pm$ 6.9 нм, что соответствует расчетной толщине слоев периода каскада гетероструктуры квантово-каскадного детектора.

Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный детектор, эпитаксия, арсенид галлия.

Поступила в редакцию: 15.10.2021
Исправленный вариант: 29.10.2021
Принята в печать: 29.10.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52124.9750



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025