RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 4, страницы 389–393 (Mi phts7028)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Особенности люминесценции объемных кристаллов $\beta$-(Ga$_x$Al$_{1-x}$)$_2$O$_3$

Е. В. Дементьеваa, П. А. Дементьевa, Н. П. Коренкоab, И. И. Шкарупаab, А. В. Кремлеваb, Д. Ю. Пановb, В. А. Спиридоновb, М. В. Заморянскаяa, Д. А. Бауманb, М. А. Одноблюдовbc, А. Е. Романовab, В. Е. Бугровb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
b Университет ИТМО, 197101 Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Работа посвящена исследованиям природы неоднородности люминесценции объемных образцов (Ga$_x$Al$_{1-x}$)$_2$O$_3$, выращенных методом Чохральского. При исследовании сколов образцов методом локальной катодолюминесценции наблюдались области с различной люминесценцией. Для определения природы катодолюминесцентного контраста были проведены исследования однородности распределения алюминия, топографии поверхности, сравнение спектров люминесценции и кинетики полос излучения для различных областей образца. Также для определения природы полос люминесценции был проведен отжиг кристалла на воздухе при 1000$^\circ$C. Это позволило наблюдать изменение люминесценции для того же участка образца. На основании проведенных исследований был сделан вывод о том, что неоднородная люминесценция связана с распределением точечных дефектов. При отжиге на воздухе наблюдалась трансформация центров безызлучательной рекомбинации в люминесцентные центры.

Ключевые слова: оксид галлия, люминесценция, точечные дефекты.

Поступила в редакцию: 29.11.2021
Исправленный вариант: 10.12.2021
Принята в печать: 10.12.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.04.52193.9776



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025