Неомическая прыжковая проводимость в $n$-InSb

Предложен метод изучения неомической прыжковой проводимости в условиях значительной зонной проводимости и возможного омического разогрева зонных электронов в $n$-InSb, основанный на сравнении вольтамперных характеристик, отвечающих протеканию тока вдоль и поперек внешнего магнитного поля. Эксперименты, выполненные на слабо компенсированном кристалле $n$-InSb ${[n\,(77\,\text{K})\simeq10^{15}\,\text{см}^{-3}]}$ при гелиевых температурах в полях ${B\lesssim60}$ кГс, демонстрируют экспоненциальный рост прыжковой проводимости с электрическим полем, позволяют определить параметры этой экспоненциальной зависимости и провести сравнение с существующими теориями. Результаты качественно согласуются с выводами теоретических работ Б.И. Шкловского.