RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 4, страницы 438–440 (Mi phts7035)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами

К. А. Исмайловa, Н. Ф. Зикриллаевb, С. В. Ковешниковb, Е. Ж. Косбергеновa

a Каракалпакский государственный университет, 230112 Нукус, Узбекистан
b Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Сравнивались параметры фотоэлементов на основе кремния, легированного примесными атомами никеля методами диффузии и при выращивании. Установлено, что фотоэлементы, легированные примесными атомами никеля при выращивании кремния, имеют улучшение параметров, сравнимое с полученным методом диффузионного легирования. Дополнительная термообработка при $T$ = 800$^\circ$C позволяет заметно улучшить основные параметры фотоэлементов.

Ключевые слова: кремний, фотоэлемент, никель, термообработка, диффузия.

DOI: 10.21883/FTP.2022.04.52200.9768



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025