Электронографическое исследование фазообразования в нанотолщинных слоях систем Cu$_2$Te–In$_2$Te$_3$, Cu–In–Te и ближний атомный порядок в аморфных пленках CuIn$_5$Te$_8$

Показано, что при одновременном и последовательном осаждении пленок системы Cu$_2$Te–In$_2$Te$_3$, а также используемых в качестве исходных материалов меди, индия и теллура высшей очистки $\sim$99.999%, взятых в соотношениях Cu : In : Te = 1 : 5 : 8, независимо от порядка напыления выделяются тройные соединения составов CuInTe$_2$, CuIn$_3$Te$_5$ и CuIn$_5$Te$_8$ в кристаллическом состоянии. При вакуумной конденсации пленок на монокристаллические подложки NaCl, KCl и аморфный целлулоид, охлажденные жидким азотом до 203 K, образующиеся пленки, полученные как совместным испарением двойных соединений системы Cu$_2$Te–In$_2$Te$_3$, так и синтезом тонких слоев, примененных Cu, In, Te, являются аморфными. Впервые в наноразмерных аморфных пленках состава CuIn$_5$Te$_8$, кристаллизующихся в тетрагональной сингонии с периодами элементарных ячеек $a$ = 6.162 $\mathring{\mathrm{A}}$, $c$ = 12.291 $\mathring{\mathrm{A}}$, полученных как в обычных условиях, так и в условиях воздействия внешнего электрического поля напряженностью 500 В $\cdot$ см$^{-1}$, установлена структура ближнего атомного порядка – число ближайших соседей, координационные числа и радиусы координационных сфер. Выявлено, что в аморфных пленках CuIn$_5$Te$_8$, полученных в условиях воздействия внешнего электрического поля, в которых матрицы состоят из тетраэдрических и октаэдрических окружений атомов, в отличие от пленок, формирующихся без воздействия поля, число ближайших соседей, оставаясь неизменным, радиусы координационных сфер и межатомные расстояния несколько укорачиваются.