RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 5, страницы 880–885 (Mi phts704)

Разделение и рекомбинация неравновесных носителей в области пространственного заряда $p{-}n$-перехода

Л. В. Асрян, Ю. А. Половко, А. Я. Шик


Аннотация: Рассчитана величина квантового выхода $p{-}n$-перехода с высокой концентрацией рекомбинационных центров в области пространственного заряда при учете того обстоятельства, что часть рожденных светом неравновесных носителей захватывается центрами и рекомбинирует, не успев разделиться в поле пространственного заряда. Показано, что при световой генерации в области пространственного заряда и в квазинейтральной области величина квантового выхода и его температурная зависимость существенно различны.



© МИАН, 2024