RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 5, страницы 472–478 (Mi phts7041)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм

В. В. Румянцевab, А. А. Разоваab, Д. В. Козловab, М. А. Фадеевa, К. В. Маремьянинa, В. В. Уточкинa, Н. Н. Михайловc, С. А. Дворецкийc, В. И. Гавриленкоab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
c Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Гетероструктуры с квантовыми ямами Hg$_{1-x}$Cd$_x$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te с малой шириной запрещенной зоны в последние годы активно исследуются как в связи с тематикой топологических изоляторов, так и с точки зрения их применения в оптоэлектронике терагерцового диапазона. В данной работе исследуются спектры фотопроводимости и фотолюминесценции гетероструктуры с квантовыми ямами Hg(Cd)Te/CdHgTe с шириной запрещенной зоны 40 мэВ. Кроме межзонных переходов, идентифицированы особенности спектров, связанные с резонансными состояниями акцепторов. Обсуждаются возможности использования исследуемых структур для создания межзонных излучателей на длине волны $\sim$30 мкм, недоступной для существующих квантово-каскадных лазеров.

Ключевые слова: узкозонные полупроводники, HgCdTe, резонансные состояния, акцепторы, фотолюминесценция.

Поступила в редакцию: 25.12.2021
Исправленный вариант: 30.12.2021
Принята в печать: 30.12.2021

DOI: 10.21883/FTP.2022.05.52348.9790



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025