Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$

Проведен детальный анализ механизмов излучательной и оже-рекомбинации в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных материалов А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$. Показано, что наличие гетерограницы фундаментальным образом меняет характер данных рекомбинационных процессов относительно объемного материала, причем по-разному, в зависимости от типа гетероперехода. Представлены результаты исследования электролюминесценции светодиодных гетероструктур I и II типа на основе квантовых ям InAsSb/InAs(Sb,P). Показано, что увеличение относительной эффективности излучательной рекомбинации в гетероструктуре II типа вследствие подавления оже-рекомбинации способствует формированию интенсивного вынужденного излучения в таких гетероструктурах при низких температурах (4.2–70 K).