Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge$_x$Si$_{1-x}$, полученных диффузионной технологией

Путем диффузионного легирования кремния германием была получена варизонная структура типа Ge$_x$Si$_{1-x}$. Элементный анализ поверхности образцов показал, что концентрация кремния (в атомных процентах) составляла 64.5%, германия – 26.9%, кислорода – 5.9%, других элементов – 2.7%. На спектральной зависимости фотопроводимости заметный рост фототока начинается при $h\nu$ = 0.75–0.8 эВ, что примерно соответствует ширине запрещенной зоны материала Ge$_{0.27}$Si$_{0.73}$. Разработка диффузионной технологии получения варизонных структур Ge$_x$Si$_{1-x}$ позволит разработать фотоприемники с расширенной областью спектральной чувствительности.