И. В. Боднарь, В. А. Ящук, В. Н. Павловский, Г. П. Яблонский, “Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu$_2$ZnGeS$_4$”, Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 5,страницы 498

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Выращивание, структура и температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов Cu$_2$ZnGeS$_4$

И. В. Боднарь^a, В. А. Ящук^a, В. Н. Павловский^b, Г. П. Яблонский^b

^a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Беларусь
^b Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 220072 Минск, Беларусь

Аннотация: Методом химических газотранспортных реакций выращены монокристаллы соединения Cu$_2$ZnGeS$_4$. Определен их состав и кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в тетрагональной структуре. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения в интервале температур 10–320 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Установлено, что ширина запрещенной зоны с понижением температуры возрастает.

Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.

Поступила в редакцию: 29.12.2021
Исправленный вариант: 19.01.2022
Принята в печать: 19.01.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.05.52353.9801