RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 6, страницы 528–532 (Mi phts7051)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Особенности электрофизических параметров кремния, легированного последовательно примесными атомами фосфора и бора

Х. Ф. Зикриллаев, К. С. Аюпов, Г. Х. Мавлонов, А. А. Усмонов, М. М. Шоабдурахимова

Ташкентский государственный технический университет, 100095 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Изучены образцы кремния, последовательно легированные примесными атомами фосфора и бора. Эти исследования позволили получить данные о взаимодействии и распределении примесных атомов фосфора и бора в кремнии. Установлено, что в таких образцах кремния меняется подвижность электронов и дырок. Из анализа полученных результатов было установлено, что атомы бора изменяют тип проводимости материала до глубины 2 мкм за счет компенсации атомов фосфора, которые в 4 раза превышают концентрацию бора в кремнии.

Ключевые слова: полупроводник, кремний, фосфор, бор, легирование, подвижность, диффузия, концентрация.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 15.03.2022
Принята в печать: 15.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52582.9829



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025