RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив
Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 6, страницы 547–552 (Mi phts7057)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния

П. В. Серединab, Али Обаид Радамa, Д. Л. Голощаповa, А. С. Леньшинac, Н. С. Буйловa, К. А. Барковa, Д. Н. Нестеровa, А. М. Мизеровd, С. Н. Тимошневd, Е. В. Никитинаd, И. Н. Арсентьевe, Ш. Шарофидиновe, Л. С. Вавиловаe, С. А. Кукушкинf, И. А. Касаткинg

a Воронежский государственный университет, 394018 Воронеж, Россия
b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
c Воронежский государственный университет инженерных технологий, 394000 Воронеж, Россия
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
f Институт проблем машиноведения РАН, 199178 Санкт-Петербург, Россия
g Санкт-Петербургский государственный университет, 199034 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведено структурно-спектроскопическое исследование эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на гибридной подложке SiC/por-Si, содержавшей слои карбида кремния и пористого кремния. С использованием методов рентгеновской дифрактометрии, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии показано, что сформированные на гибридной подложке тонкие пленки имеют минимальные остаточные напряжения и интенсивную фотолюминесценцию.

Ключевые слова: AlGaN, GaN, por-Si, молекулярно-пучковая эпитаксия.

Поступила в редакцию: 15.02.2022
Исправленный вариант: 21.02.2022
Принята в печать: 21.02.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52587.9816



Реферативные базы данных:

© МИАН, 2025