Исследование кристаллической структуры, оптических и электрофизических свойств нового полупроводникового материала Cu$_2$CrSnS$_4$ для тонкопленочных солнечных элементов

Впервые методом твердофазного синтеза получены микрокристаллические порошки и пленки Cu$_2$CrSnS$_4$ с орторомбической структурой, впервые записаны их рамановские спектры. Методом оптической спектроскопии установлено, что их $E_g$ = 1.70 эВ, при этом в запрещенной зоне порошков присутствует донорный уровень с энергией $E$=1.23 эВ. Впервые показано, что пленки данного материала фоточувствительны и имеют $p$-тип темновой проводимости.