А. Д. Недошивина, И. В. Макарцев, С. В. Оболенский, “Модель для многопараметрического анализа параметров короткоканальных транзисторов типа НЕМТ”, Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 7,страницы 618

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Модель для многопараметрического анализа параметров короткоканальных транзисторов типа НЕМТ

А. Д. Недошивина^a, И. В. Макарцев^ab, С. В. Оболенский^ab

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
^b ОАО Научно-производственное предприятие "Салют", 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: На основе комплекса аналитической и одномерной численной моделей предложен подход к проведению многопараметрической оптимизации транзисторов типа НЕМТ для диапазона частот $\sim$100 ГГц.

Ключевые слова: HЕМТ-транзисторы, эффект всплеска скорости, короткоканальные транзисторы, аналитическая модель.

DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52747.02