Определение потока и энергии активации десорбции фосфора при отжиге в потоке мышьяка подложки InP(001) в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии

Экспериментально исследован процесс десорбции фосфора с epi-ready подложек InP(001) при высокотемпературном отжиге в потоке мышьяка. При отжиге на поверхности формируется твердый раствор InPAs и островки InAs. Предложена оригинальная методика определения количества атомов фосфора, десорбирующих с поверхности, путем определения количества атомов мышьяка в твердом растворе InPAs и островках InAs. Поток фосфора, десорбирующий с поверхности, повышается от 1$\cdot$10$^{-4}$ монослоя $\cdot$ см$^{-2}$ $\cdot$ с$^{-1}$ при температуре отжига 500$^\circ$C до 7.3$\cdot$10$^{-4}$ монослоя $\cdot$ см$^{-2}$ $\cdot$ с$^{-1}$ при 540$^\circ$C. Энергия активации процесса десорбции фосфора составляет 2.7 $\pm$ 0.2 эВ.