Исследование трибоэлектрических зарядов в тонких диэлектрических и полупроводниковых пленках методами сканирующей зондовой микроскопии

Выполнены исследования трибоэлектрических зарядов на тонких пленках high-k диэлектриков LaScO$_3$, полупроводниковых “флэйках” MoSe$_2$ и сегнетоэлектрических PZT пленках методами сканирующей зондовой микроскопии. Показано, что величина накапливаемого трибоэлектрического заряда в данных пленках зависит от их толщины. Наиболее сильный эффект наблюдается в PZT пленке толщиной 100 нм и пленке LaScO$_3$ толщиной 6 нм. Также экспериментально обнаружена зависимость величины регистрируемого трибоэлектрического потенциала от силы прижима и материала зонда.