Определение скорости поверхностной рекомбинации полупроводников с помощью электронного возбуждения

Сообщается о методе измерения скорости поверхностной рекомбинации $S$ полупроводников, основанном на комбинации электронного и светового возбуждения неравновесных носителей. Метод обладает пространственным разрешением и высокой чувствительностью к изменениям $S$. Приводятся результаты совместного исследования элементарного состава поверхности GaAs методом электронной оже-спектроскопии и величины $S$ поверхности образца после различных технологических обработок поверхности.