Влияние дозы имплантации водорода на релаксацию электрофизических характеристик структур “кремний-на-изоляторе” после воздействия рентгеновского излучения

Представлены результаты экспериментальных исследований релаксации электрофизических параметров образцов “кремний-на-изоляторе” с различной дозой имплантации водорода после воздействия стационарного рентгеновского излучения. Методы измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик и псевдо-МДП транзистора позволили получить информацию о накопленном заряде, плотности поверхностных состояний, подвижности носителей. Примесный состав и профиль водорода определялись методом вторично-ионной масс-спектрометрии, структурное совершенство слоев оценивалось с помощью методов рентгеновской дифрактометрии и малоугловой рентгеновской рефлектометрии. Зафиксирован различный характер релаксационной зависимости и время восстановления электрофизических параметров для структур “кремний-на-изоляторе” с различными дозами имплантации водорода. Значения подвижности выше, а плотности заряда ниже для структуры с меньшей дозой имплантации водорода, что лучше с точки зрения ее дальнейшего практического применения.