Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами

Представлены результаты исследования фотолюминесценции наногетероструктур с множественными квантовыми ямами Ge$_{1-x-y}$Si$_x$Sn$_y$/Si, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках и отожженных при различных температурах. Обнаружено, что вследствие отжига структур достигается многократное увеличение интенсивности пика излучения, близкого по энергии к оптическим переходам в множественных квантовых ямах. Определены оптимальные температура и продолжительность отжига с точки зрения интенсивности фотолюминесценции. Исследованы люминесцентные свойства серии отожженных структур Ge$_{0.93-x}$Si$_x$Sn$_{0.07}$/Si с разным составом по Ge. В результате показан сдвиг пика низкотемпературной фотолюминесценции в сторону меньших энергий с увеличением доли германия в твердом растворе. Таким образом, продемонстрирована возможность управления спектром излучения наногетероструктур Ge$_{0.93-x}$Si$_x$Sn$_{0.07}$/Si в диапазоне длин волн 1.3–2.0 мкм.