RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 8, страницы 770–773 (Mi phts7099)

XXVI Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 14-17 марта 2022г.

Радиационная стойкость источника субтерагерцового излучения после нейтронного воздействия

А. С. Ивановa, Д. Г. Павельевb, С. В. Оболенскийab, Е. С. Оболенскаяb

a ОАО Научно-производственное предприятие "Салют", 603950 Нижний Новгород, Россия
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Продолжено изучение радиационной стойкости источника субтерагерцового излучения из гетеродина на основе генератора на диоде Ганна и умножителя на полупроводниковой сверхрешетке GaAs/AlAs. Экспериментально измерены зависимости выходной мощности от частоты генератора на диоде Ганна до и после облучения нейтронами. Произведена аналитическая оценка источника субтерагерцового излучения к нейтронному излучению с флюенсами 3.5$\cdot$10$^{12}$, 2.85$\cdot$10$^{13}$, 10$^{14}$ см$^{-2}$.

Ключевые слова: радиационная стойкость, сверхрешетка, диод Ганна, терагерцы.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 25.03.2022
Принята в печать: 25.03.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.08.53143.29



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025