RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 2, страницы 330–332 (Mi phts71)

Краткие сообщения

Приповерхностный изгиб зон в GaAs с отрицательным электронным сродством

А. Д. Коринфский, А. Л. Мусатов

Институт радиотехники и электроники АН СССР

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 29.03.1985
Принята в печать: 31.08.1985



© МИАН, 2024