RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1986
, том 20,
выпуск 2,
страницы
330–332
(Mi phts71)
Краткие сообщения
Приповерхностный изгиб зон в GaAs с отрицательным электронным сродством
А. Д. Коринфский
,
А. Л. Мусатов
Институт радиотехники и электроники АН СССР
УДК:
621.315.592
Поступила в редакцию:
29.03.1985
Принята в печать:
31.08.1985
Полный текст:
PDF файл (437 kB)
©
МИАН
, 2024