RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 5,
страницы
920–922
(Mi phts711)
Краткие сообщения
Исследование образования монокристаллических слоев
$\beta$
-SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)
П. А. Александров
,
Е. К. Баранова
,
К. Д. Демаков
,
А. С. Игнатьев
,
Ф. Ф. Комаров
,
А. П. Новиков
Полный текст:
PDF файл (1839 kB)
©
МИАН
, 2025