RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 5, страницы 920–922 (Mi phts711)

Краткие сообщения

Исследование образования монокристаллических слоев $\beta$-SiC на Si методом высокоинтенсивного ионного легирования (ВИЛ)

П. А. Александров, Е. К. Баранова, К. Д. Демаков, А. С. Игнатьев, Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков




© МИАН, 2024