Анализ нелинейных искажений D$p$HEMT структур на основе соединения GaAs/InGaAs с двусторонним дельта-легированием

Проведены расчетно-экспериментальные исследования характеристик мощного AlGaAs/InGaAs/GaAs D$p$HEMT. При помощи самосогласованного численного решения уравнений Шредингера и Пуассона рассчитана зонная диаграмма исследуемого транзистора, получена концентрация электронов в канале. Экспериментально оценена подвижность электронов в канале транзистора, которая составила 9300 см$^2$/В$\cdot$с. На основе полученной проходной вольт-амперной характеристики транзистора рассчитаны параметры модельного дифференциального усилителя: малосигнальный коэффициент усиления и коэффициент нелинейных искажений 3-го порядка.