А. Е. Жуков, А. М. Надточий, Н. В. Крыжановская, Ю. М. Шерняков, Н. Ю. Гордеев, А. А. Серин, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. С. Паюсов, Г. О. Корнышов, М. В. Максимов, Y. Wang, “Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек”, Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 9,страницы 922

Физика полупроводниковых приборов

Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек

А. Е. Жуков^a, А. М. Надточий^a, Н. В. Крыжановская^a, Ю. М. Шерняков^b, Н. Ю. Гордеев^b, А. А. Серин^b, С. А. Минтаиров^b, Н. А. Калюжный^b, А. С. Паюсов^b, Г. О. Корнышов^c, М. В. Максимов^c, Y. Wang^d

^a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), 190008 Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
^d Laser Institute, Shandong Academy of Sciences, 266100 Qingdao, P.R. China

Аннотация: Экспериментально и с помощью численного моделирования исследованы внутренние потери на пороге генерации в лазерных резонаторах с плотными массивами квантовых точек InGaAs/GaAs (квантовых яма-точек) в зависимости от числа их рядов и величины потерь на вывод излучения. Найдены численные значения параметров, определяющие поглощение на свободных носителях в активной области и в расширенном волноводе. Определена оптимальная конструкция лазерного диода для достижения наибольшей внешней дифференциальной эффективности.

Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, полупроводниковые наноструктуры, внутренние потери.

Поступила в редакцию: 04.05.2022
Исправленный вариант: 01.07.2022
Принята в печать: 08.07.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53416.9878