Электронографическое исследование температурно-временны́х зависимостей кристаллизации нанотолщинных аморфных пленок CuIn$_5$Te$_8$, сублимированных в обычных условиях и в условиях воздействия внешнего электрического поля

Методом электронографического структурного анализа исследованы процессы кристаллизации аморфных пленок CuIn$_5$Te$_8$, полученные в обычных условиях и в условиях воздействия внешнего электрического поля напряженностью 500 В $\cdot$ см$^{-1}$. Построены изотермические кривые фазовых переходов и определены кинетические параметры фазовых превращений: установлены мерности роста кристаллов и значения активационных энергий. Показано, что при кристаллизации аморфных пленок CuIn$_5$Te$_8$ скорости зародышеобразования и дальнейшего их роста следуют соотношениям Аррениуса.