Фотолюминесценция растянутых Ge микромостиков при различных температурах: эксперимент и моделирование

Представлены результаты экспериментального исследования и теоретического моделирования спектров фотолюминесценции растянутых Ge микромостиков с улучшенным теплоотводом от активной области. Показано, что в исследуемых структурах во всем рассмотренном диапазоне температур (от 80 до 300 K) основной вклад в сигнал фотолюминесценции микромостиков вносит сигнал, связанный с излучательными переходами из $\Gamma$-долины в валентную зону. В работе также обсуждается влияние эффектов самопоглощения в Ge и интерференции излучения в исследуемых структурах на вид спектров фотолюминесценции Ge микромостиков. Продемонстрировано, что в отличие от свободновисящих мостиков Ge микромостики, в которых для улучшения теплоотвода реализована адгезия к нижележащим слоям, не подвергаются дополнительному растяжению при уменьшении температуры.