RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2022, том 56, выпуск 11, страницы 1060–1065 (Mi phts7146)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры

Д. В. Козловab, В. В. Румянцевab, В. Я. Алешкинab, С. В. Морозовab, В. И. Гавриленкоab

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Рассчитаны времена захвата дырок на основной уровень нейтральной вакансии ртути в твердом растворе Hg$_{1-x}$Сd$_x$Te при испускании оптического фонона. Расчет показал, что этот процесс может конкурировать с захватом дырок на мелкие возбужденные состояния вакансионных центров с испусканием акустических фононов. Такая конкуренция может приводить к гашению линий в спектре вакансионной фотолюминесценции слоев Hg$_{1-x}$Сd$_x$Te при увеличении температуры.

Ключевые слова: вакансии ртути, оптические фононы, безызлучательные переходы.

Поступила в редакцию: 01.11.2022
Исправленный вариант: 08.11.2022
Принята в печать: 08.11.2022

DOI: 10.21883/FTP.2022.11.54256.9990



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025