Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов

Реализован подход прямого сращивания пластин SiC различающихся политипов, который позволяет переносить гетероэпитаксиальные слои кубического политипа 3C-SiC, выращенные химическим осаждением из газовой фазы, на пластину гексагонального политипа 6H-SiC с целью создания комбинированной подложки для проведения гомоэпитаксии. Результаты структурной характеризации показали, что качество сублимационной эпитаксии 3C-SiC на комбинированных подложках находится на современном уровне эпитаксии кубического карбида кремния методом химического осаждения из газовой фазы. Получено подтверждение того, что именно 3C-SiC слой, перенесенный на подложку 6H-SiC, играет роль кристаллической “затравки”, задающей рост кубического политипа.