RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2025, том 59, выпуск 1, страницы 16–22 (Mi phts7166)

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация параметров кремниевого электрооптического фазовращателя, работающего на эффекте обеднения свободными носителями

Е. А. Лаврухинаa, Д. С. Пашинa, А. В. Неждановa, К. В. Сидоренкоa, П. В. Волковb, А. И. Бобровa

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского, 603022 Нижний Новгород, Россия
b Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия

Аннотация: Выполнена оптимизация геометрических размеров поперечного сечения и концентраций легирующих примесей $p$$n$-перехода электрооптического фазовращателя на основе обедненного кремния свободными носителями методом градиентного спуска. Полученная в результате моделирования конфигурация обеспечивает баланс между эффективностью фазового сдвига и потерями на свободных носителях. Кроме того, определена область геометрических параметров, реализующая одномодовый режим высоколегированных волноводов неполного травления. Предложенная методика и полученные результаты могут быть полезны для проектирования интегральных фотонных устройств.

Ключевые слова: кремниевая фотоника, электрооптические фазовращатели, кремний-на-изоляторе, дисперсия плазмы свободных носителей, одномодовый режим.

Поступила в редакцию: 26.03.2025
Исправленный вариант: 31.03.2025
Принята в печать: 03.04.2025

DOI: 10.61011/FTP.2025.01.60495.7693



© МИАН, 2025