Д. А. Павлов, Н. В. Байдусь, А. И. Бобров, О. В. Вихрова, Е. И. Волкова, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, Д. С. Сорокин, “Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1,страницы 3

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием

Д. А. Павлов^a, Н. В. Байдусь^b, А. И. Бобров^a, О. В. Вихрова^b, Е. И. Волкова^a, Б. Н. Звонков^b, Н. В. Малехонова^a, Д. С. Сорокин^a

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Методом геометрической фазы показано распределение упругих деформаций в системе, состоящей из слоя квантовых точек и захороненного под ним слоя фосфидированного арсенида галлия. Предложена гипотеза о возможности управления процессом формирования квантовых точек InAs в матрице GaAs посредством локального изовалентного введения фосфора.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014