Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, М. Л. Орлов, В. В. Цыпленков, Н. А. Бекин, А. Н. Яблонский, П. А. Юнин, S. G. Pavlov, N. V. Abrosimov, H.-W. Hubers, H. H. Radamson, В. Н. Шастин, “Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1,страницы 15

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Спонтанное излучение терагерцового диапазона частот при оптическом возбуждении доноров в SiGe/Si и одноосно-деформированном объемном кремнии

Р. Х. Жукавин^a, К. А. Ковалевский^a, М. Л. Орлов^a, В. В. Цыпленков^a, Н. А. Бекин^a, А. Н. Яблонский^a, П. А. Юнин^a, S. G. Pavlov^b, N. V. Abrosimov^c, H.-W. Hubers^bd, H. H. Radamson^e, В. Н. Шастин^af

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Institute of Planetary Research, German Aerospace Center, 12489 Berlin, Germany
^c Institute for Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany
^d Institut für Optik und Atomare Physik, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin, Germany
^e Royal Institute of Technology (KTH), 16640 Kista, Sweden
^f Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: Представлены результаты измерений интегральной фотолюминесценции терагерцового диапазона частот доноров V группы (фосфор, сурьма, висмут, мышьяк) в объемном кремнии и SiGe/Si гетероструктурах (фосфор) в зависимости от интенсивности возбуждения. Сигнал из объемного кремния также измерялся как функция одноосной деформации. Результаты измерений зависимости интенсивности спонтанного излучения от одноосной деформации достаточно хорошо согласуются с теоретическими расчетами времен релаксации возбужденных состояний доноров в объемном кремнии. Сравнительные измерения спонтанного излучения из различных напряженных гетероструктур показали, что сигнал фотолюминесценции обусловлен легированными донорами кремниевыми областями.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014