В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1,страницы 35

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов

В. А. Гайслер^abc, А. В. Гайслер^a, А. С. Ярошевич^a, И. А. Деребезов^a, М. М. Качанова^a, Ю. А. Живодков^a, Т. А. Гаврилова^a, А. С. Медведев^a, Л. А. Ненашева^a, К. В. Грачев^a, В. К. Сандырев^a, А. С. Кожухов^ac, В. М. Шаяхметов^a, А. К. Калагин^a, А. К. Бакаров^ac, Д. В. Дмитриев^a, А. И. Торопов^a, Д. В. Щеглов^a, А. В. Латышев^ac, А. Л. Асеев^a

^a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный технический университет
^c Новосибирский государственный университет

Аннотация: Разработана и реализована конструкция полностью полупроводникового брэгговского микрорезонатора для излучателей одиночных фотонов, сочетающая в себе эффективную токовую накачку селективно-позиционированных InAs-квантовых точек в пределах микронной апертуры, высокую внешнюю квантовую эффективность и низкую расходимость излучения.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014