Увеличение радиационного времени жизни экситонов Ванье–Мотта в полупроводниковых нанокластерах

Цель данной работы – расчет радиационного времени жизни экситонов Ванье–Мотта в больших (по сравнению с радиусом экситона) трехмерных потенциальных ямах, образованных нанокластерами прямозонных узкозонных полупродников в широкозонных полупроводниках. Вычисления выполнены для случая гетеросистемы InAs/GaAs. Показано, что при уменьшении размеров нанокластера до величин порядка радиуса экситона радиационное время жизни последнего увеличивается в несколько раз по сравнению с его значением в однородном полупроводнике. Указанное увеличение оказывается более ярко выраженным при низких температурах. Таким образом, установлено, что помещение экситонов Ванье–Мотта в прямозонные полупроводниковые нанокластеры с размерами порядка их радиуса может быть использовано для значительного увеличения их радиационного времени жизни.