Исследование быстродействующих полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров на основе AlInGaAs наногетероструктур с большой спектральной расстройкой усиления

Исследовано влияние спектральной расстройки максимума спектра усиления активной области на основе наногетероструктур AlInGaAs относительно резонансной длины волны вертикального микрорезонатора на статические и динамические характеристики быстродействующих вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850 нм с двумя селективно-окисленными токовыми апертурами. Для многомодовых приборов с величиной спектральной расстройки более 20 нм и относительно большими размерами токовой апертуры (более 6 мкм) обнаружено явление аномального начала лазерной генерации через моды высшего порядка с последующим переключением на моды низкого порядка при высоких токах. Одновременная генерация через оба типа поперечных мод, наблюдаемая при промежуточных уровнях накачки, ведет к неклассической форме зависимости максимальной частоты эффективной модуляции от тока накачки. Рост рабочей температуры, а также уменьшение размеров токовой апертуры ВИЛ приводит к классической картине многомодовой лазерной генерации. Наблюдаемые явления необходимо учитывать при оптимизации конструкции быстродействующих вертикально-излучающих лазеров.