Ю. Ю. Романова, Е. П. Додин, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Д. А. Павлов, Н. В. Малехонова, “Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1,страницы 122

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs

Ю. Ю. Романова^ab, Е. П. Додин^a, Ю. Н. Ноздрин^a, А. А. Бирюков^c, Н. В. Байдусь^c, Д. А. Павлов^b, Н. В. Малехонова^b

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^c Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород

Аннотация: Приведены результаты комплексного анализа параметров полупроводниковой сверхрешетки GaAs/AlGaAs со сложной элементарной ячейкой с использованием математического моделирования и экспериментальных методов просвечивающей электронной микроскопии, энергодисперсионного анализа, спектроскопии фотолюминесценции и фототока. Показано подавление внутризонной статической отрицательной дифференциальной проводимости в условиях сильного взаимодействия между мини-зонами и негармонического закона дисперсии электронов.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014