П. Е. Тетерин, Д. В. Аверьянов, Ю. Г. Cадофьев, О. Е. Парфенов, И. А. Лихачев, В. Г. Сторчак, “Выращивание гетероэпитаксиальных структур EuO/Si и EuO/SrO/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1,страницы 134

Эта публикация цитируется в 1 статье

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Выращивание гетероэпитаксиальных структур EuO/Si и EuO/SrO/Si методом молекулярно-пучковой эпитаксии

П. Е. Тетерин^a, Д. В. Аверьянов^ab, Ю. Г. Cадофьев^ac, О. Е. Парфенов^a, И. А. Лихачев^a, В. Г. Сторчак^a

^a Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
^b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
^c Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Эпитаксиальные пленки EuO толщиной до 60 нм были выращены методом молекулярно-пучковой эпитаксии как непосредственно на Si(001), так и с использованием буферного слоя SrO. Контроль кристаллического состояния пленок проводился in situ с помощью дифракции быстрых электронов. Высокое кристаллическое совершенство полученных пленок установлено ex situ методами рентгеновской дифрактометрии и обратного резерфордовского рассеяния.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014