RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 1, страницы 138–141 (Mi phts7199)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Характеристики диодных структур на основе фуллерена на полимерных и стеклянных подложках

В. В. Травкинa, Г. Л. Пахомовab, М. Н. Дроздовab, С. А. Королевa, А. И. Машинb, А. А. Логуновb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского

Аннотация: В сандвич-структурах Al/C$_{60}$/ITO/подложка исследовано строение верхнего интерфейса Al/C$_{60}$ (Al – термически осажденный слой алюминия, С$_{60}$ – термически осажденный слой фуллерена, ITO – двойной оксид индия-олова, подложка – лавсан или стекло) методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии (TоF-SIMS) с анализом по глубине. Исследование стимулировано обнаруженными особенностями фотовольтаического эффекта в фуллеренсодержащих сандвич-структурах на стеклянных и полимерных подложках. Установлено, что химический состав верхнего интерфейса Al/C$_{60}$ на разных подложках неодинаков. Это приводит к различиям в параметрах фотопреобразования для более сложных тонкопленочных структур с молекулярным гетеропереходом.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 15.06.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:1, 134–137

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025