Влияние облучения электронами низких энергий на оптические свойства структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN

Приведены результаты исследований температурной зависимости интенсивности катодолюминесценции в необлученных и облученных электронами с подпороговой энергией структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN в интервале температур 80–300 K. Показано, что в результате облучения температурная зависимость становится более слабой. Анализ этих и полученных ранее результатов позволяет предположить, что облучение электронами приводит к релаксации напряжений в квантовых ямах, обусловленных несоответствием параметров решеток InGaN и GaN.