Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворов A$^{\mathrm{III}}$P$_x$As$_{1-x}$: механизм формирования состава в подрешетке элементов V группы

Экспериментально исследовано влияние температуры подложки, плотности потоков молекул As$_2$, P$_2$ и скорости роста на состав слоев твердых растворов (A$^{\mathrm{III}}$)P$_x$As$_{1-x}$ при молекулярно-лучевой эпитаксии. Проведен анализ экспериментальных данных, полученных в широком диапазоне условий роста. Результаты анализа представлены в виде кинетической модели, описывающей процесс формирования состава в подрешетке элементов V группы твердого раствора (A$^{\mathrm{III}}$)P$_x$As$_{1-x}$ при молекулярно-лучевой эпитаксии. Модель может быть использована для выбора условий роста слоев твердых растворов (A$^{\mathrm{III}}$)P$_x$As$_{1-x}$ (001) с заданным составом.