Ю. Г. Арапов, С. В. Гудина, А. С. Клепикова, В. Н. Неверов, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, “Электрон-электронное взаимодействие и универсальность критических индексов для переходов между плато квантового эффекта Холла в наноструктурах $n$-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2,страницы 186

Эта публикация цитируется в 1 статье

XVIII симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника" , Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.

Электрон-электронное взаимодействие и универсальность критических индексов для переходов между плато квантового эффекта Холла в наноструктурах $n$-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами

Ю. Г. Арапов^a, С. В. Гудина^a, А. С. Клепикова^a, В. Н. Неверов^a, Н. Г. Шелушинина^a, М. В. Якунин^ab

^a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
^b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург

Аннотация: Проведены измерения зависимостей продольного и холловского сопротивлений от магнитного поля в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах $n$-InGaAs/GaAs с двойной квантовой ямой в диапазонах магнитных полей $B$ = 0–16 Tл и температур $T$ = 0.05–4.2 K, до и после инфракрасной подсветки. Анализ температурной зависимости ширины переходов между плато квантового эффекта Холла проведен в рамках гипотезы скейлинга с учетом эффектов электрон-электронного взаимодействия.

Поступила в редакцию: 23.05.2014
Принята в печать: 16.06.2014