Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B

В работе представлена теоретическая модель, развитая для интерпретации результатов измерений релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si:B при импульсном оптическом возбуждении узкополосным перестраиваемым источником излучения в “греющих” (10–500 В/см) электрических полях. Модель учитывает захват дырок на основное и нижнее возбужденное состояния бора с испусканием оптического фонона. Показано, что при учете этих процессов зависимость времени релаксации фотопроводимости от величины электрического поля может быть немонотонной.