Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP

Исследовано обменное усиление $g$-фактора в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом. Из анализа температурной зависимости сопротивления в минимумах осцилляций Шубникова–де Гааза в перпендикулярных магнитных полях до 12 Тл вблизи нечетных факторов заполнения уровней Ландау определены значения эффективного фактора Ланде электронов $g^*$ = -(8.6 – 10.1). Полученные экспериментальные значения сравниваются с теоретическими расчетами $g$-фактора квазичастиц, выполненных с использованием 8-зонного $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$-гамильтониана с учетом обменного взаимодействия в двумерном электронном газе. Показано, что в условиях сильного перекрытия расщепленных по спину уровней Ландау максимум $g$-фактора квазичастиц может достигаться вблизи четных значений фактора заполнения, что обусловлено непараболичностью закона дисперсии электронов.