Влияние избытка компонентов на электрические свойства пленок антимонида индия

Исследованы причины аномального поведения холловской подвижности носителей заряда при уменьшении температуры измерения от 300 K в пленках антимонида индия, полученных методом трех температур. Экспериментально показано, что существуют провалы “допустимых” температур испарителей компонентов и подложки, в пределах которых получаются сплошные проводящие пленки. Определены оптимальные режимы изготовления образцов, для которых значения подвижности остаются практически неизменными в интервале температур 150–350 K. На основе сопоставления со спектрами оптического пропускания сделан вывод о наличии в пленках высокой концентрации дефектов, связанных с отклонением состава от стехиометрии и выполняющих роль донорных и акцепторных центров. Наличие таких дефектов позволяет объяснить снижение подвижности в пленках при уменьшении температуры.