RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 249–253 (Mi phts7218)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Терагерцовая генерация, обусловленная новыми эффектами в естественной сверхрешетке 6H-SiC

В. И. Санкин, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, А. Г. Петров

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Показано, что в естественной сверхрешетке 6H-SiC существуют два параллельно действующих канала электролюминесценции в ТГц диапазоне: 1) узкие линии на частотах 1.6–2.3 ТГц и 2) более широкие линии на частотах около 3.25 ТГц. Первый канал объясняется переходами между локализованными состояниями ваннье-штарковской лестницы (ВШЛ) в режиме блоховских осцилляций в первой мини-зоне зоны проводимости в точке М гексагональной зоны Бриллюэна. Вторая область предположительно вызвана переходами между ваннье-штарковскими лестницами, образованными в результате смешивания электрическим полем вырожденных состояний зоны проводимости в точке K гексагональной зоны Бриллюэна. Минимум зоны проводимости в точке K расположен на 100–200 мэВ выше минимума зоны проводимости в точке М.

Поступила в редакцию: 10.06.2014
Принята в печать: 18.06.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:2, 242–246

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025