RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1987
, том 21,
выпуск 5,
страницы
949–952
(Mi phts722)
Краткие сообщения
Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких акцепторов в арсениде галлия
Ю. Ф. Бирюлин
,
Л. В. Голубев
,
С. В. Новиков
,
В. В. Чалдышев
,
Ю. В. Шмарцев
Полный текст:
PDF файл (601 kB)
©
МИАН
, 2024