RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1987, том 21, выпуск 5, страницы 949–952 (Mi phts722)

Краткие сообщения

Влияние изовалентного легирования висмутом на концентрацию мелких акцепторов в арсениде галлия

Ю. Ф. Бирюлин, Л. В. Голубев, С. В. Новиков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев




© МИАН, 2024