RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, выпуск 2, страницы 278–282 (Mi phts7223)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Доминирующие факторы лазерного геттерирования кремниевых пластин

Ю. И. Боханa, В. С. Каменковb, Н. К. Толочкоc

a Витебский государственный университет им. П. М. Машерова
b НПДРУП "Спектркомплекс", Витебск
c Белорусский государственный аграрный технический университет, г. Минск

Аннотация: Экспериментально исследовано лазерное геттерирование кремниевых пластин. Рассмотрены типичные параметры процесса геттерирования. Проведены микроскопические исследования обработанных лазерным излучением поверхностей кремниевых пластин. При воздействии лазерного излучения на кремниевые полупроводниковые пластины в процессе геттерирования была выделена группа факторов, определяющих условия взаимодействия лазерного луча с поверхностью кремниевой пластины и влияющих на конечный результат обработки. Определены главные факторы, определяющие эффективность геттерирования. Установлены ограничения получения требуемого значения емкости геттерного слоя на поверхностях с недостаточной чистотой поверхности, например, шлифованной или “матовой”.

Поступила в редакцию: 06.03.2014
Принята в печать: 16.06.2014


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2015, 49:2, 270–273

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025