Позитроника радиационно-индуцированных эффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках

На примере стекол As$_2$S$_3$ и AsS$_2$ доказана принципиальная возможность использования методов позитронной аннигиляционной спектроскопии для изучения эволюции свободного объема нанообъектов пустоты в халькогенидных стеклообразных полупроводниках под воздействием радиационного излучения. Результаты, полученные методами временного распределения аннигиляционных фотонов и доплеровского уширения аннигиляционной линии в обратной хронологии, полностью согласуются с данными оптической спектроскопии в области края фундаментального поглощения, адекватно описываясь в рамках моделей координационного дефектообразования и физического старения.