Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур широкозонных соединений A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ для низкопороговых лазеров с оптической и электронной накачкой

Рассмотрены основные подходы при конструировании и выращивании методом молекулярно-пучковой эпитаксии лазерных гетероструктур на основе системы (Zn,Mg)(S,Se) с множественными плоскостями квантовых точек CdSe или квантовых ям ZnCdSe. Приведена методика расчета компенсирующих короткопериодных сверхрешеток ZnSSe/ZnSe в активной и волноводной областях лазерных гетероструктур для структур с различной толщиной волновода и числом активных областей. Предложен способ уменьшения плотности неравновесных точечных дефектов в активной области лазерных структур A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$ посредством использования режима эпитаксии с повышенной миграцией при выращивании квантовой ямы ZnSe, ограничивающей плоскость квантовых точек CdSe. Продемонстрировано рекордно низкое значение пороговой плотности мощности ($P_{\mathrm{thr}}\sim$ 0.8 кВт/см$^2$) при комнатной температуре для гетероструктуры лазера с оптической накачкой с одиночной плоскостью квантовых точек CdSe/ZnSe.